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2-M位、具有智能电压引导块的闪速存储器系列的新设计参考(2

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  • 上传时间:2021-08-23
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资 源 简 介

n Intel SmartVoltage Technology¾ 5 V or 12 V Program/Erase¾ 3.3 V or 5 V Read Operationn Very High-Performance Read¾ 5 V: 60 ns Access Time¾ 3 V: 110 ns Access Timen Low Power Consumption¾ Max 60 mA Read Current at 5 V¾ Max 30 mA Read Current at3.3 V–3.6 Vn x8/x16-Selectable Input/Output Bus¾ 28F200 for High Performance 16- or32-bit CPUsn x8-Only Input/Output Architecture¾ 28F002B for Space-Constrained8-bit Applicationsn Optimized Array Blocking Architecture¾ One 16-KB Protected Boot Block¾ Two 8-KB Parameter Blocks¾ 96-KB and 128-KB Main Blocks¾ Top or Bottom Boot Locationsn Extended Temperature Operation¾ –40 °C to +85 °C
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