资 源 简 介
本文解决热问题与使用QFN封装的GaN功率放大器，最初设计用于脉冲操作，在CW模式。需要考虑的部件安装，以提供一个低的热阻抗路径，以最佳的操作和可靠性的系统散热器，使用TGA2307-SM作为一个例子。
在微波频率下的GaN放大器已经为系统工程师提供了在更小的物理系统中产生更高的输出功率电平的机会。然而，随着系统能力的提高，需要对这些GaN器件提供足够的热管理。此外，许多高功率小封装（例如，QFN）GaN器件，最初被设想用于脉冲应用，由于其尺寸和重量小，越来越希望用于高功率CW系统。这些GaN器件的热管理是由较小的封装热足迹和封装到系统散热器的其余部件的接口而变得复杂的。
一个例子是QoVoO TGA2307SM，一个5-6GHz的50瓦GaN功率放大器，使用QoVo的QGaN25生产工艺制造。该TGA2307 SM封装在6毫米×6毫米40引脚塑料超塑性QFN封装。最初开发的脉冲应用，TGA2307 SM耗散了62-80沃茨平均功率与100的美国脉冲宽度和10%占空比。在PCB安装中获得足够的热管理，在该功率水平下，在封装的主中心焊盘下使用填充铜的热通孔（图1），如在评估板（EVB）上使用的那样。
平均功率耗散随着占空比的增加而增加，直到在CW工作条件下耗散功率现在在60瓦范围内。以前的经验表明，功率水平超过10-15瓦平均不能充分处理使用这种热管理方法。具有加工基座和铸造PCB的散热片开口的PCB提供了通过将PCB封装到最终的系统散热器提供更低的热阻来处理更高功耗的能力。
