资 源 简 介
硅的材料性能
纯净的单晶硅具有灰色金属光泽 ，硬而脆，是典型金 刚石结构 的半导 体 ，经抛光后 表面光亮如镜 。硅的熔 点为 1420℃，常温下硅 的化学性 质稳定 ，升 温时，很容易同氧、氯等多种物质发生反应，高温下极活 泼 。硅 不溶 于盐 酸、硫 酸 、硝 酸及王水 ，但 易溶 于 HF—HNO。混合液，后者常用作为硅的腐蚀液 ；硅易与碱反应 ，可用来 显示晶体缺 陷 ；硅与金属作用 能便于实现机电器件的集成化。在室温下 ，单晶硅在外力 作用下很难产生 位错和滑移 。但 由于其抗拉应力远大于抗剪应力，因此 ，在切割、研磨和机械抛光等加工过程 中，硅材料由于承受剪切应力而易于产生破碎现象，从而影响成品率。 2 硅片直径及集成 电路的发展趋势按照美 国半导体 工业协 会 （SIA）提 出 的微 电子技 术发展构 图 ，到 2008年 ，将开 始使用直径为 450 mm 的硅 片 ，实现 特征线宽 0．07btm，硅 片表 面总厚度变化 （TTV）要求小于 0．2btm，硅 片表面局部平整 度 （SFQD）要求 为设 计线 宽的 z／3，硅 片表面粗糙度要求达到纳米和亚纳米级，芯片集成度达到 9000 万个晶体管／平方厘米等。目前 ，一个芯片上可集成几 亿个元 件 ，集成 电路 已进 入 ULSI阶段 ，ULSI电路集成度的迅速增长主要取决于以下 2个因素 ：一是 完美 晶体生长 技术 已达 到极 高 的水 平 ；二是 制造设备 不断完善 ，加 工精度 、自动化程度和可靠 性的提高 已使器件尺寸进入深亚微米级领域。
