资 源 简 介
ATmega8是基于增强的AVR RISC结构的低功耗8位CMOS微控制器。由于其先进的指令集以及单时钟周期指令执行时间， ATmega8 的数据吞吐率高达1 MIPS/MHz，从而可以缓减系统在功耗和处理速度之间的矛盾。AVR 内核具有丰富的指令集和32 个通用工作寄存器。所有的寄存器都直接与算逻单元(ALU) 相连接，使得一条指令可以在一个时钟周期内同时访问两个独立的寄存器。这种结构大大提高了代码效率，并且具有比普通的CISC 微控制器最高至10 倍的数据吞吐率。ATmega8 有如下特点:8K 字节的系统内可编程Flash( 具有同时读写的能力，即RWW)，512 字节 EEPROM，1K 字节 SRAM，32 个通用I/O 口线，32 个通用工作寄存器，三个具有比较模式的灵活的定时器/ 计数器(T/C), 片内/ 外中断，可编程串行USART，面向字节的两线串行接口， 10 位6 路 (8 路为TQFP 与MLF 封装)ADC，具有片内振荡器的可编程看门狗定时器，一个SPI 串行端口，以及五种可以通过软件进行选择的省电模式。工作于空闲模式时CPU 停止工作，而SRAM、T/C、 SPI 端口以及中断系统继续工作；掉电模式时晶体振荡器停止振荡，所有功能除了中断和硬件复位之外都停止工作；在省电模式下，异步定时器继续运行，允许用户保持一个时间基准，而其余功能模块处于休眠状态； ADC 噪声抑制模式时终止CPU 和除了异步定时器与ADC 以外所有I/O 模块的工作，以降低ADC 转换时的开关噪声； Standby 模式下只有晶体或谐振振荡器运行，其余功能模块处于休眠状态，使得器件只消耗极少的电流，同时具有快速启动能力。本芯片是以Atmel 高密度非易失性存储器技术生产的。片内ISP Flash 允许程序存储器通过ISP 串行接口，或者通用编程器进行编程，也可以通过运行于AVR 内核之中的引导程序进行编程。引导程序可以使用任意接口将应用程序下载到应用Flash存储区(ApplicaTIonFlash Memory)。在更新应用Flash存储区时引导Flash区(Boot Flash Memory)的程序继续运行，实现了RWW 操作。 通过将8 位RISC CPU 与系统内可编程的Flash 集成在一个芯片内，ATmega8 成为一个功能强大的单片机，为许多嵌入式控制应用提供了灵活而低成本的解决方案。ATmega8 具有一整套的编程与系统开发工具，包括：C 语言编译器、宏汇编、 程序调试器/ 软件仿真器、仿真器及评估板。
产品特性• 高性能、低功耗的 8 位AVR® 微处理器• 先进的RISC 结构– 130 条指令 – 大多数指令执行时间为单个时钟周期– 32个8 位通用工作寄存器– 全静态工作– 工作于16 MHz 时性能高达16 MIPS– 只需两个时钟周期的硬件乘法器• 非易失性程序和数据存储器– 8K 字节的系统内可编程Flash擦写寿命: 10,000 次– 具有独立锁定位的可选Boot 代码区通过片上Boot 程序实现系统内编程真正的同时读写操作– 512 字节的EEPROM擦写寿命: 100,000 次– 1K字节的片内SRAM– 可以对锁定位进行编程以实现用户程序的加密• 外设特点– 两个具有独立预分频器8 位定时器/ 计数器, 其中之一有比较功能– 一个具有预分频器、比较功能和捕捉功能的16 位定时器/ 计数器– 具有独立振荡器的实时计数器RTC– 三通道PWM– TQFP与MLF 封装的8 路ADC8 路10 位ADC– PDIP封装的6 路ADC8 路10 位ADC– 面向字节的两线接口– 两个可编程的串行USART– 可工作于主机/ 从机模式的SPI 串行接口– 具有独立片内振荡器的可编程看门狗定时器– 片内模拟比较器• 特殊的处理器特点– 上电复位以及可编程的掉电检测– 片内经过标定的RC 振荡器– 片内/ 片外中断源– 5种睡眠模式: 空闲模式、ADC 噪声抑制模式、省电模式、掉电模式及Standby 模式• I/O 和封装– 23个可编程的I/O 口– 28引脚PDIP 封装,32 引脚TQFP 封装,32 引脚MLF 封装• 工作电压– 2.7 - 5.5V (ATmega8L)– 4.5 - 5.5V (ATmega8)• 速度等级– 0 - 8 MHz (ATmega8L)– 0 - 16 MHz (ATmega8)• 4 Mhz 时功耗, 3V, 25°C– 工作模式: 3.6 mA– 空闲模式: 1.0 mA– 掉电模式: 0.5 μA
