资 源 简 介
在实验科学中，新发现的（或重新发现的）合成技术在加速感兴趣的领域中立即提供增强的性能和简单性是一件罕见的事情。然而，1980年代末重新发现脉冲激光沉积（PLD）的情况就是如此。自从发现激光器_哈斯和拉姆齐，1969年；史密斯和特纳，1965_以来，人们一直在探索使用脉冲激光作为蒸发膜生长的定向能源。初始活动范围有限，涉及连续波（CW）和脉冲激光。脉冲激光沉积技术的首次实验是在20世纪60年代进行的，直到70年代和80年代，其努力有限。轴向高温超导薄膜_Inam等人，1988。这些化合物需要多种具有不同蒸发性能的阳离子，这些阳离子必须在正确的化学计量比下输送以实现超导膜。同时，该材料是氧化物，在生长期间需要氧化环境。脉冲激光沉积具有许多特点，使其在复杂氧化物薄膜研究领域与其他薄膜生长技术相比具有显著的竞争性。这些具有吸引力的主要特征是化学计量转移、激发的氧化物种、以及初始设置和任意氧化物化合物研究中的简单性。人们可以快速地研究几乎任何氧化物化合物的薄膜沉积，而不管晶体化学的复杂性。脉冲激光沉积技术的显著发展仍在继续，在过去的15年中，PLD已经从学术上的好奇发展成为广泛用于薄膜沉积研究的技术.Saenger， 1993; Kaczmarek， 1997; Willmott and Huber， 2000; Dubowski， 1988; Diele今天，PLD被用于绝缘体、半导体、金属、聚合物甚至生物材料的沉积。很少有材料合成技术在研究和应用场所得到如此迅速和广泛的渗透。
