资 源 简 介
综述了全球CMP设备市场概况及适应0. 1$N.m工艺平坦化要求的CMP技术
现状,给出了向今300mm国片转移过程中CMP技术占用成本及CMP设备性能指标。
为了进一步提高生产效率和降低成本,制备器件村底的硅片现正在由中200二 圆片向中300mm圆片过渡,对这种衬底必须进行全局平坦化。多年的研究表明,需要对多层布线互连结构中绝缘体、导体、层间介质(ILD),镶嵌金属W, Al, Cu, Au、多晶硅、硅氧化物等进行平面化处理,化学机械抛光(CMP)则是唯一的全局平面化技术。 利用 Strasbaugh公司的抛光机在 EastFishkill T厂进行工艺的开发。1988年,IBM开始将CMP工艺用于4MDRAM器件的制造。到1990年,IBM公司便向Micron Technolog公司出瞥了采用CMP技术的4MDRAM工艺。此后不久,又与咖-torol。公司合作,共同进人为苹果计算机公司生产PC机器件的行列。从此各种逻辑电路和存储器便以不同的发展规模走向CMP。到1994年,随着0. 5wm器件的批量生产和0. 35 P,rn工艺的开发,CMP工艺便逐渐进人生产线,设备市场初步形